Пространственное распределение, накопление и отжиг радиационных дефектов в кремнии, имплантированном высокоэнергетичными ионами аргона и никеля

Рентгенодифракционным методом в режиме двухкристального рентгеновского спектрометра исследованы пространственное распределение, накопление и отжиг радиационных дефектов в кремнии, имплантированном ионами аргона (46.3 МэВ) и никеля (6 МэВ). Сублинейный характер накопления дефектов свидетельствует о гомогенном характере дефектообразования в кремнии при внедрении тяжелых высокоэнергетичных ионов, при этом в аннигиляции участвуют в основном изолированные дефекты. Результаты по эффективности введения устойчивых радиационных дефектов говорят в пользу того, что механизмами дефектообразования являются упругие и неупругие взаимодействия.