Особенности поведения упругих волн в кристалле (NH$_{4}$)$_{3}$H(SeO$_{4}$)$_{2}$

Исследованы температурные зависимости (270$-$370 K) скорости $V$ и коэффициента затухания $\alpha$ продольной и поперечной упругих волн частотой 20$-$30 МГц, распространяющихся в монокристалле (NH$_{4}$)$_{3}$H(SeO$_{4}$)$_{2}$ вдоль оси $C$. Обнаружены значительные изменения $V$ и $\alpha$ при переходе кристалла в параэластическое суперионное состояние. Показано, что если эти изменения для продольной упругой волны обусловлены релаксацией параметра порядка и описываются теорией Ландау$-$Халатникова, то для поперечной волны они определяются взаимодействием упругой волны с протонной подсистемой. Предложен механизм этого взаимодействия, позволяющий количественно описать наблюдаемые температурные зависимости $V$ и $\alpha$, а также предсказать температурную зависимость удельной проводимости $G_{b}$ кристалла в направлении, перпендикулярном оси $C$.