Быстропротекающие электрические процессы и динамика дислокаций в пластически деформируемых щелочно-галоидных кристаллах

Обнаружены и проанализированы в полосе частот ${10{-}2\cdot10^{6}}$ Гц импульсы электрического поля (ИЭП), сопровождающие все фазы деформирования щелочно-галоидных кристаллов. Наибольшей интенсивности генерирование ИЭП достигает на стадии микропластичности и в заключительной фазе нагружения, сопровождающейся образованием визуально наблюдаемых трещин. Установлено, что низкочастотные ИЭП обусловлены движением дислокационных скоплений. Предложены дислокационные механизмы эмиссии этих импульсов.