Объем и энтропия образования дефекта Шоттки в ионном кристалле

Предложена методика расчета объема ($v^{}_{s}$) и энтропии ($s^{}_{s}$) образования дефекта Шоттки в кубическом кристалле состава АВ. Изучена зависимость данных функций от параметров межионного потенциала, межионного расстояния и температуры. Расчет $v^{}_{s}$ и $s^{}_{s}$, проведенный для 35 ионных кристаллов, показал хорошее согласие с экспериментальными оценками объема и энтропии образования дефекта Шоттки.