|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
XXV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 9-12 марта 2021 г.
Полупроводники
Отрицательное магнитосопротивление в структуре $n$-InSb/ЖИГ
Ю. В. Никулинab, А. В. Кожевниковa, Ю. В. Хивинцевab, М. Е. Селезневab, Ю. А. Филимоновab a Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, Саратов, Россия
b Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского, Саратов, Россия
Аннотация:
Показано, что в структуре $n$-InSb/ЖИГ/ГГГ (ЖИГ — железо-иттриевый гранат, ГГГ — галлий-гадолиниевый гранат) в касательной к плоскости подложки геометрии намагничивания ($H$ < 10 kOe) при температуре $T\approx$ 300 K проявляется эффект отрицательного магнитосопротивления величиной около 1%, тогда как для структуры $n$-InSb/ГГГ, в такой же геометрии намагничивания, магнитосопротивление является положительным (увеличение электрического сопротивления в магнитном поле). Эффект возникновения отрицательного магнитосопротивления в структуре InSb/ЖИГ/ГГГ обусловлен эффектом влияния намагниченности ЖИГ на электроны проводимости InSb (эффект близости), при этом величина эффекта определяется величиной намагниченности ЖИГ и параметрами пленок InSb.
Ключевые слова:
антимонид индия, отрицательное магнитосопротивление, ЖИГ.
Поступила в редакцию: 09.04.2021 Исправленный вариант: 09.04.2021 Принята в печать: 19.04.2021
Образец цитирования:
Ю. В. Никулин, А. В. Кожевников, Ю. В. Хивинцев, М. Е. Селезнев, Ю. А. Филимонов, “Отрицательное магнитосопротивление в структуре $n$-InSb/ЖИГ”, Физика твердого тела, 63:9 (2021), 1253–1257; Phys. Solid State, 63:10 (2021), 1496–1500
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt8025 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v63/i9/p1253
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 116 | PDF полного текста: | 68 |
|