|
Биполяронная теория полевого эффекта в высокотемпературных сверхпроводниках
В. Д. Лахно
Аннотация:
Лежащий в основе высокотемпературной сверхпроводниковой электроники полевой эффект в настоящее время не имеет микроскопического обоснования. В работе построена микроскопическая теория полевого эффекта в высокотемпературных сверхпроводниках, основанная на трансляционно-инвариантной биполяронной теории сверхпроводимости. Показано, что в не слишком сильных полях однородное состояние бозе-конденсата таких биполяронов сохраняется, а его критическая температура увеличивается. Это может быть использовано для повышения температуры сверхпроводящего перехода в уже имеющихся высокотемпературных сверхпроводниках.
Ключевые слова:
трансляционная инвариантность, полевой транзистор,
электрон-фононное взаимодействие, бозе-конденсат, квантовый компьютер.
Образец цитирования:
В. Д. Лахно, “Биполяронная теория полевого эффекта в высокотемпературных сверхпроводниках”, Препринты ИПМ им. М. В. Келдыша, 2024, 033, 15 с.
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ipmp3243 https://www.mathnet.ru/rus/ipmp/y2024/p33
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 34 | PDF полного текста: | 5 | Список литературы: | 7 |
|