Моделирование электронно-оптических процессов в диоде на основе структуры $N^+-SI/N-SI:ER/P^+-SI$ при обратном смещении и пути повышения достоверности моделирования структур

Развита математическая модель, описывающая процессы возбуждения электролюминесценции ионов $Er^3+$ в диодах на основе структуры $n^+- Si/n-Si:Er/p^+-Si$ при обратном смещении. Модель учитывает процессы туннельной инжекции электронов из валентной зоны слоя $p^+- Si$ на глубокие уровни, связанные с примесью $Er$ в активном слое $n-Si:Er$.