|
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2006, том 83, выпуск 11, страницы 592–595
(Mi jetpl1320)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 35 научных статьях (всего в 35 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ
О механизме поглощения фемтосекундных лазерных импульсов при плавлении и абляции Si и GaAs
М. Б. Агранатa, С. И. Анисимовba, С. И. Ашитковa, А. В. Овчинниковa, П. С. Кондратенкоc, Д. С. Ситниковa, В. Е. Фортовa a Институт теплофизики экстремальных состояний Объединенного института высоких температур РАН
b Институт теоретической физики им. Л. Д. Ландау РАН
c Институт проблем безопасности энергетики
Аннотация:
Измерены пороги плавления и абляции при воздействии на Si и GaAs фемтосекундных импульсов хром-форстеритового лазера на длине волны 1240 нм, когда энергия кванта излучения меньше ширины запрещенной зоны. Малое отличие этих величин от порогов плавления и абляции, измеренных при воздействии импульсов второй гармоники на длине волны 620 нм с энергией кванта излучения больше ширины запрещенной зоны, невозможно объяснить с помощью известных теоретических моделей. Предложен новый подход к механизму возникновения электронно-дырочной плазмы и образованию тонкого сильно поглощающего поверхностного слоя в полупроводниках при воздействии фемтосекундных лазерных импульсов видимого и инфракрасного диапазонов спектра излучения, основанный на лавинном механизме заполнения зоны проводимости.
Поступила в редакцию: 24.04.2006
Образец цитирования:
М. Б. Агранат, С. И. Анисимов, С. И. Ашитков, А. В. Овчинников, П. С. Кондратенко, Д. С. Ситников, В. Е. Фортов, “О механизме поглощения фемтосекундных лазерных импульсов при плавлении и абляции Si и GaAs”, Письма в ЖЭТФ, 83:11 (2006), 592–595; JETP Letters, 83:11 (2006), 501–504
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl1320 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v83/i11/p592
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 542 | PDF полного текста: | 158 | Список литературы: | 64 |
|