Структура примесных отрицательных ионов в жидком гелии

Экспериментальные значения подвижности примесных отрицательных ионов галогенов (Cl$^-$, F$^-$, I$^-$) и металлов (Ba$^-$, Ga$^-$) в сверхтекучем He$^4$ близки между собой и существенно ниже не только подвижности ионов He$^+$, но и электронных пузырьков. Показано, что причиной столь малой подвижности служит образование вокруг ионов многоатомных комплексов — кластеров или пузырьков. Несмотря на близкие значения подвижностей, структура образующихся комплексов в случае галогенов и металлов качественно различна — вблизи ионов галогенов, обладающих большой энергией прилипания электронов, образуются твердотельные кластеры, подобные хорошо изученному кластеру на ионе He$^+$, а ионы металлов локализуются в пузырьках, подобных электронным пузырькам. Зависимость подвижности этих комплексов от температуры и давления должна быть качественно различной. Эксперименты в этой области, возможно с более широкой номенклатурой отрицательных ионов, могли бы способствовать более глубокому пониманию структуры заряженных комплексов в жидком гелии.