Характеристики фотовольтаического рентгеновского детектора на основе эпитаксиальной структуры арсенида галлия

Исследованы характеристики фотовольтаического рентгеновского детектора на основе эпитаксиальной структуры $p^+$–$n$–$n'$–$n^+$ арсенида галлия, выращенной методом газофазной эпитаксии. Приведены типичные вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики эпитаксиальных структур и профиль встроенного электрического поля в обедненной области $n$-GaAs. С помощью облучения детектора $\gamma$-излучением измерена эффективность сбора заряда в фотовольтаическом детекторе без смещения и при напряжении смещения 17 V. Показано, что фотовольтаический рентгеновский детектор на основе GaAs может работать без смещения при комнатной температуре. Измерена чувствительность детектора в зависимости от эффективной энергии рентгеновского излучения и угла падения рентгеновских фотонов.