Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Журнал технической физики, 1985, том 55, выпуск 7, страницы 1463–1465 (Mi jtf1366)  
Краткие сообщения

О деградации GaAs$-$(Al, Ga)As гетеролазеров, смонтированных на хладопроводе с помощью твердого припоя

Т. Б. Жиздюк, Н. Д. Жуков, В. М. Калиниченко, А. Е. Кузьмин, Г. И. Рябцев, С. Н. Соколов

Институт физики АН БССР, Минск
PDF полного текста (459 kB)
Поступила в редакцию: 04.07.1984
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 585.370.2
Образец цитирования: Т. Б. Жиздюк, Н. Д. Жуков, В. М. Калиниченко, А. Е. Кузьмин, Г. И. Рябцев, С. Н. Соколов, “О деградации GaAs$-$(Al, Ga)As гетеролазеров, смонтированных на хладопроводе с помощью твердого припоя”, ЖТФ, 55:7 (1985), 1463–1465
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ZhiZhuKal85}
\by Т.~Б.~Жиздюк, Н.~Д.~Жуков, В.~М.~Калиниченко, А.~Е.~Кузьмин, Г.~И.~Рябцев, С.~Н.~Соколов
\paper О деградации GaAs$-$(Al,\,Ga)As гетеролазеров, смонтированных
на хладопроводе с~помощью твердого припоя
\jour ЖТФ
\yr 1985
\vol 55
\issue 7
\pages 1463--1465
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf1366}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf1366
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v55/i7/p1463
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Журнал технической физики Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:170
    PDF полного текста:116
    Список литературы:1
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026