Поведение AlGaAs гетерофотоэлементов при низких уровнях освещения (10$^{-1}$–10$^{-3}$ Вт/см$^{2}$) в диапазоне температур 173–373 K

На основе анализа темновых ВАХ получены расчетные зависимости напряжения холостого хода и фактора заполнения нагрузочной характеристики от уровня освещения в диапазоне ${10^{-1}\ldots10^{-8}\,\text{Вт/см}^{2}}$. Показано, что наибольшую стабильность параметров при снижении уровня засветки обеспечивают ГФЭ с минимальными значениями обратного тока насыщения ${j_{0}=6\cdot10^{-19}\,\text{А/см}^{2}}$ при величине фототока ${2.5\cdot10^{-2}\,\text{А/см}^{2}}$, соответствующего засветке прямым солнечным излучением при 293 K. При увеличении рабочей температуры экспериментальные значения КПД уменьшаются от ${\eta=22.3}$% при 293 K до ${\eta=17.4}$% при 393 K при прямой солнечной засветке (AM1.5, ${P_{c}=0.9\cdot10^{-1}\,\text{Вт/см}^{2}}$ и ${\eta=11.9}$% при ${P_{c}=10^{-3}\,\text{Вт/см}^{2}}$. При уменьшении температуры до 173 K ${\eta= 25.2}$% при ${P_{c}=0.9\cdot10^{-1}\,\text{Вт/см}^{2}}$ и ${\eta=19.7}$% при ${P_{c}=10^{-3}\,\text{Вт/см}^{2}}$.