Электрожидкостная эпитаксия твердых растворов InAs$_{1-x}$Sb$_{x}$

Приводятся результаты по выращиванию слоев InAs$_{1-x}$Sb$_{x}$ (${0.03\leqslant x\leqslant0.17}$) на подложках $p$-GaSb методом электрожидкостной эпитаксии. Определены режимы проведения процесса, обеспечивающие кристаллизацию эпитаксиальных слоев. Проанализированы наблюдавшиеся немонотонные зависимости толщины слоев от времени выращивания и от плотности тока. Полученные результаты объясняются конкуренцией трех процессов: эффектов Пельтье, Джоуля и электромиграции компонентов раствора–расплава.