Экспериментальное подтверждение модели релаксационной жидкостной эпитаксии с инверсией массопереноса, предназначенной для создания супертонких слоев $A^{3}B^{5}$

Изложены результаты экспериментальной проверки (на примере выращивания слоев GaAs на подложке GaAlAs) следствий ранее опубликованной модели релаксационной жидкостной эпитаксии с инверсией массопереноса, позволяющей создавать супертонкие (${\sim 100}$ Å) слои при любой температуре эпитаксии и сколь угодно большом времени контакта раствора$-$расплава с подложкой.
Гетероэпитаксия GaAs на подложке GaAlAs осуществлялась из пересыщенного раствора$-$расплава Ga$-$As, находящегося в капилляре, образованном подложкой GaAlAs (основной) и вспомогательной пластинкой GaAs (инвертирующей).
Экспериментально показано следующее. Толщина слоя GaAs на основпой подложке существенно меньше толщины слоя GaAs на инвертирующей пластинке. Отношение толщины слоя GaAs, выращенного на подложке GaAlAs к толщине слоя GaAs, вырастающего на пластинке GaAs, тем меньше, чем меньше переохлаждение раствора$-$расплава, чем меньше толщина капилляра и чем больше содержание AlAs в подложке.
Экспериментальные результаты соответствуют следствиям модели.