Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Журнал технической физики, 1990, том 60, выпуск 3, страницы 113–117 (Mi jtf3779)  

Твердотельная электроника

Влияние импульсных электрических и магнитных полей на магнитостатические волны в магнитном полупроводнике HgCr$_{2}$Se$_{4}$

В. В. Осипов, Н. А. Виглин, В. А. Костылев, Н. М. Чеботаев, А. А. Самохвалов
Аннотация: Исследуется влияние импульсных электрических и магнитных полей на длинноволновую часть спектра МСВ. Обнаружено, что электрические поля воздействуют на спектр как за счет создания магнитного поля протекающим через образец током, так и за счет изменения намагниченности вследствие разогрева магнонов горячими носителями заряда. Благодаря сравнительно большому времени магнон-фононного взаимодействия ($\sim 10^{-3}$ с) был зарегистрирован перегрев магнитной подсистемы относительно решетки на 5$-$7 град, однако экспериментальная методика позволяла регистрировать разницу температур $\sim 10^{-3}$ град. Обнаружено, что импульсные магнитные поля, воздействуя непосредственно на магнитную подсистему, вызывают ее перегрев (или охлаждение) относительно фононной подсистемы.
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. В. Осипов, Н. А. Виглин, В. А. Костылев, Н. М. Чеботаев, А. А. Самохвалов, “Влияние импульсных электрических и магнитных полей на магнитостатические волны в магнитном полупроводнике HgCr$_{2}$Se$_{4}$”, ЖТФ, 60:3 (1990), 113–117
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{OsiKosSam90}
\by В.~В.~Осипов, Н.~А.~Виглин, В.~А.~Костылев, Н.~М.~Чеботаев, А.~А.~Самохвалов
\paper Влияние импульсных электрических и~магнитных полей
на~магнитостатические волны в~магнитном полупроводнике~HgCr$_{2}$Se$_{4}$
\jour ЖТФ
\yr 1990
\vol 60
\issue 3
\pages 113--117
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf3779}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf3779
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v60/i3/p113
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Журнал технической физики Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:79
    PDF полного текста:31
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025