Анализ состава газовой фазы в зоне источника методом УФ поглощения при выращивании GaAs в хлоридной газотранспортной системе

Методом in situ спектроскопии в области 220$-$360 нм определены концентрации компонент в зоне источника для системы GaAs$-$AsCl$_{3}$$-$HCl$-$H$_{2}$$-$He при изменении температуры источника от~20 до $900^{\circ}$С для чисел Рейнольдса 0.1$-$1.5. Установлен неравновесный характер протекания гомогенных и гетерогенных реакций в зоне источника в низкотемпературных режимах (${T\lesssim 800^{\circ}}$С). Впервые получен спектр поглощения AsCl$_{3}$. Выполнен двумерный расчет массопереноса компонент газовой смеси в зоне источника и путем сопоставления полученных в расчете концентраций компонент на выходе из зоны источника с экспериментальными значениями определены константы скоростей реакций.