Деканалирование электронов высоких энергий на дислокациях

Рассмотрено прохождение каналированных электронов через область, искаженную краевой или винтовой дислокацией. Показано, что этот процесс можно описать в приближении скачкообразного изменения положения атомных рядов и плоскостей, которое приводит к деканалированию в среднем около 30% частиц, проходящих через искаженную область. Установлена максимальная длина деканалирования в дислокационном кристалле и пороговая энергия электронов, выше которой длина деканалирования уменьшается с ростом энергии. Получены приближенные оценки этих величин для кремния и вольфрама.
Исходя из проведенного анализа микроскопической картины прохождения каналированных частиц через дислокации, рассмотрен принцип детального равновесия и сформулировано общее уравнение переноса, описывающее кроме обычного многократного рассеяния также и деканалирование на дислокациях.