|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Физическая электроника
Жидкометаллический полевой источник электронов на основе пористого GaP
С. А. Масаловa, Е. О. Поповa , А. Г. Колоськоa , С. В. Филипповa , В. П. Улинa, В. П. Евтихиевa, А. В. Атращенкоb a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
Аннотация:
Представлен новый способ создания жидкометаллического полевого эмиттера. Обработка пористого кристалла бинарного полупроводникового соединения GaP импульсами высокого напряжения в вакууме позволила получить на его поверхности устойчивые структуры в виде дискретных кластеров галлия. Данные структуры показали хорошие эмиссионные свойства: стабильные токи на уровне нескольких микроампер, а также достаточно высокую равномерность распределения эмиссионных наноцентров по поверхности.
Поступила в редакцию: 16.02.2017
Образец цитирования:
С. А. Масалов, Е. О. Попов, А. Г. Колосько, С. В. Филиппов, В. П. Улин, В. П. Евтихиев, А. В. Атращенко, “Жидкометаллический полевой источник электронов на основе пористого GaP”, ЖТФ, 87:9 (2017), 1416–1422; Tech. Phys., 62:9 (2017), 1424–1430
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf6138 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v87/i9/p1416
|
| Статистика просмотров: |
| Страница аннотации: | 171 | | PDF полного текста: | 77 |
|