Влияние низкотемпературного надбарьерного слоя GaN на концентрацию электронов в гетероструктуре AlGaN/GaN

Было изучено влияние низкотемпературных пассивирующих слоев GaN на электрофизические характеристики двумерного электронного газа (ДЭГ) в гетероструктурах для транзисторов с высокой подвижностью электронов (HEMT). Установлено, что тонкие слои GaN, осажденные in situ при температуре 550$^\circ$C, не проявляют полярных свойств и не меняют концентрацию носителей в ДЭГ. При этом аналогичные слои GaN, осажденные при 830$^\circ$C, снижают концентрацию носителей в ДЭГ в соответствии с теоретическими расчетами. С помощью дифракции быстрых отраженных электронов установлено, что данный эффект может быть обусловлен различием в структуре и морфологии пленок GaN, осаждаемых при различных температурах.