Теплоэлектродинамические механизмы нарастания вольт-амперных характеристик технических сверхпроводников при крипе магнитного потока

Изучены процессы формирования макроскопических состояний сверхпроводящей ленты, индуцируемые при крипе магнитного потока транспортным током. Показано существование характерных значений напряженности электрического поля, зависящих от скорости ввода тока, свойств сверхпроводника, условий охлаждения и свойств стабилизирующей матрицы, которые лежат в основе теплоэлектродинамических механизмов, влияющих на крутизну нарастания вольт-амперных характеристик технических сверхпроводников. Исследованы условия возникновения токовых неустойчивостей с учетом неравномерного распределения температуры по сечению технического сверхпроводника. Сформулированы условия существования вольт-амперных характеристик технических сверхпроводников, допускающие стабильный нагрев сверхпроводника до температуры, равной критической. Результаты проведенного исследования необходимо учитывать при измерении вольт-амперных характеристик сверхпроводящих материалов, определении их критических параметров и тока возникновения неустойчивости.