Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Журнал технической физики, 2024, том 94, выпуск 3, страницы 419–425
DOI: https://doi.org/10.61011/JTF.2024.03.57380.7-24
(Mi jtf6732)
 

XI Международный симпозиум ''Оптика и биофотоника'' (Saratov Fall Meeting 2023), Саратов, 25-29 сентября 2023 г.
Физика низкоразмерных структур

Управление электронными свойствами квази-2$D$ ван-дер-ваальсовых гетероструктур борофен/GaN и борофен/ZnO с помощью деформаций

М. М. Слепченковa, Д. А. Колосовa, О. Е. Глуховаab

a Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского, 410012 Саратов, Россия
b Первый Московский государственный медицинский университет им. И.М. Сеченова, 119048 Москва, Россия
Аннотация: В рамках теории функционала плотности проведено ab initio исследование влияния деформации одноосного и двухосного сжатия/растяжения на электронные свойства двух типов ван-дер-ваальсовых квази-2$D$ гетероструктур. Первый тип гетероструктур образован монослоями гофрированного борофена с треугольной кристаллической решеткой и графеноподобного нитрида галлия. Второй тип гетероструктур образован монослоями гофрированного борофена с треугольной кристаллической решеткой и графеноподобного оксида цинка. Определены случаи деформации, которые привели к появлению энергетической щели в зонной структуре исследуемых гетероструктур. Для объяснения причины открытия щели выполнены расчеты распределений полной и парциальной плотностей электронных состояний. Дана численная оценка величины барьера Шоттки $p$-типа для дырок и барьера Шоттки $n$-типа для электронов в гетероструктурах борофен/GaN и борофен/ZnO.
Ключевые слова: теория функционала плотности, зонная структура, плотность состояний, энергетическая щель, барьер Шоттки.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 21-72-00082
Работа выполнена при поддержке гранта Российского научного фонда (проект № 21-72-00082, https://rscf.ru/en/project/21-72-00082/).
Поступила в редакцию: 16.01.2024
Исправленный вариант: 16.01.2024
Принята в печать: 16.01.2024
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. М. Слепченков, Д. А. Колосов, О. Е. Глухова, “Управление электронными свойствами квази-2$D$ ван-дер-ваальсовых гетероструктур борофен/GaN и борофен/ZnO с помощью деформаций”, ЖТФ, 94:3 (2024), 419–425
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SleKolGlu24}
\by М.~М.~Слепченков, Д.~А.~Колосов, О.~Е.~Глухова
\paper Управление электронными свойствами квази-2$D$ ван-дер-ваальсовых гетероструктур борофен/GaN и борофен/ZnO с помощью деформаций
\jour ЖТФ
\yr 2024
\vol 94
\issue 3
\pages 419--425
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf6732}
\crossref{https://doi.org/10.61011/JTF.2024.03.57380.7-24}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=65310632}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf6732
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v94/i3/p419
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Журнал технической физики Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:28
    PDF полного текста:23
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025