|
Журнал технической физики, 2024, том 94, выпуск 4, страницы 646–651 DOI: https://doi.org/10.61011/JTF.2024.04.57536.156-23
(Mi jtf6759)
|
|
|
|
Физика низкоразмерных структур
Влияние температуры подложки на свойства пленок GaS, полученных плазмохимическим осаждением из газовой фазы
М. А. Кудряшовab, Л. А. Мочаловab, М. А. Вшивцевa, И. О. Прохоровa, Ю. М. Спивакc, В. А. Мошниковc, Ю. П. Кудряшоваb, П. В. Мосягинb, Е. А. Слаповскаяb, В. М. Малышевa a Нижегородский государственный технический университет им. Р. Е. Алексеева, 603155 Нижний Новгород, Россия
b Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, 603022 Нижний Новгород, Россия
c Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ», 197022 Санкт-Петербург, Россия
DOI:
https://doi.org/10.61011/JTF.2024.04.57536.156-23
Аннотация:
Методом плазмохимического осаждения из газовой фазы впервые получены тонкие пленки GaS. В качестве прекурсоров использованы высокочистые элементарные Ga и S. Плазму возбуждали высокочастотным генератором (40.68 MHz) при пониженном давлении 0.1 Torr. Изучены состав, структурные и оптические свойства пленок GaS в зависимости от температуры подложки. Все пленки являлись высоко прозрачными (75%) в диапазоне 400–1100 nm.
Ключевые слова:
сульфид галлия, пленки, PECVD, структура, оптические свойства.
Поступила в редакцию: 26.06.2023 Исправленный вариант: 30.12.2023 Принята в печать: 17.01.2024
Образец цитирования:
М. А. Кудряшов, Л. А. Мочалов, М. А. Вшивцев, И. О. Прохоров, Ю. М. Спивак, В. А. Мошников, Ю. П. Кудряшова, П. В. Мосягин, Е. А. Слаповская, В. М. Малышев, “Влияние температуры подложки на свойства пленок GaS, полученных плазмохимическим осаждением из газовой фазы”, ЖТФ, 94:4 (2024), 646–651
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf6759 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v94/i4/p646
|
|