Электрофизические свойства углеродных алмазоподобных и графитоподобных тонких пленок

Проведены измерения локальных вольт-амперных зависимостей в углеродных алмазоподобных и графи- топодобных тонких пленках. Анализ этих зависимостей позволяет сделать вывод о наличии туннелирования носителя заряда между сопряженными графитоподобными кластерами через диэлектрическую прослойку, сформированную алмазоподобными кластерами. Структура графитоподобного кластера, представляющая собой совокупность от 1 до 3 гексагональных плоскостей, смещенных относительно друг друга в положения, отличающиеся от их положения в идеальном кристалле графита, позволяет считать их электрофизические свойства аналогичными свойствам минимальной совокупности графеновых плоскостей. Можно полагать, что выявленные особенности локальных вольт-амперных зависимостей в углеродных алмазоподобных и графитоподобных пленках связаны с этими электрофизическими свойствами.