|
Журнал технической физики, 2024, том 94, выпуск 11, страницы 1809–1819 DOI: https://doi.org/10.61011/JTF.2024.11.59097.239-24
(Mi jtf6895)
|
|
|
|
Плазма
Развитие неустойчивости в диоде Бурсиана
В. И. Кузнецов, В. Ю. Коекин, М. А. Захаров, И. К. Морозов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
DOI:
https://doi.org/10.61011/JTF.2024.11.59097.239-24
Аннотация:
Изучена устойчивость стационарных состояний диода Бурсиана (вакуумного диода с пучком электронов) в режиме с отрицательной разностью потенциалов между коллектором и эмиттером. С использованием линейной теории показано, что решения, соответствующие средней (overlap) ветви, являются апериодически неустойчивыми. Численно изучено развитие этой неустойчивости на нелинейной стадии. Использовался высокоточный Е, К-код. Оказалось, что в зависимости от фазы возмущения процесс развивается в противоположных направлениях, и завершается в стационарных состояниях, лежащих на разных ветвях решений. На решения с нижней (normal) ветви процесс выходит апериодическим образом с декрементом, совпадающим с найденным по линейной теории. С другой стороны, на стационарные решения с отражением процесс выходит колебательным образом.
Получено общее выражение для закона сохранения энергии в системе диод – внешняя цепь. В расчетах развития неустойчивости этот закон выполнялся с высокой точностью.
Ключевые слова:
диод Бурсиана, эмиттер, неустойчивость.
Поступила в редакцию: 24.07.2024 Исправленный вариант: 16.08.2024 Принята в печать: 18.08.2024
Образец цитирования:
В. И. Кузнецов, В. Ю. Коекин, М. А. Захаров, И. К. Морозов, “Развитие неустойчивости в диоде Бурсиана”, ЖТФ, 94:11 (2024), 1809–1819
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf6895 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v94/i11/p1809
|
| Статистика просмотров: |
| Страница аннотации: | 89 | | PDF полного текста: | 38 |
|