Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Журнал технической физики, 2024, том 94, выпуск 11, страницы 1809–1819
DOI: https://doi.org/10.61011/JTF.2024.11.59097.239-24
(Mi jtf6895)
 

Плазма

Развитие неустойчивости в диоде Бурсиана

В. И. Кузнецов, В. Ю. Коекин, М. А. Захаров, И. К. Морозов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
DOI: https://doi.org/10.61011/JTF.2024.11.59097.239-24
Аннотация: Изучена устойчивость стационарных состояний диода Бурсиана (вакуумного диода с пучком электронов) в режиме с отрицательной разностью потенциалов между коллектором и эмиттером. С использованием линейной теории показано, что решения, соответствующие средней (overlap) ветви, являются апериодически неустойчивыми. Численно изучено развитие этой неустойчивости на нелинейной стадии. Использовался высокоточный Е, К-код. Оказалось, что в зависимости от фазы возмущения процесс развивается в противоположных направлениях, и завершается в стационарных состояниях, лежащих на разных ветвях решений. На решения с нижней (normal) ветви процесс выходит апериодическим образом с декрементом, совпадающим с найденным по линейной теории. С другой стороны, на стационарные решения с отражением процесс выходит колебательным образом.
Получено общее выражение для закона сохранения энергии в системе диод – внешняя цепь. В расчетах развития неустойчивости этот закон выполнялся с высокой точностью.
Ключевые слова: диод Бурсиана, эмиттер, неустойчивость.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 24-22-00175
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации FFUG-2024-0005
Разд. 4, 5 работы выполнены при финансовой поддержке РНФ, проект № 24-22-00175; разд. 1–3 – в рамках государственного задания, номер темы FFUG-2024-0005.
Поступила в редакцию: 24.07.2024
Исправленный вариант: 16.08.2024
Принята в печать: 18.08.2024
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. И. Кузнецов, В. Ю. Коекин, М. А. Захаров, И. К. Морозов, “Развитие неустойчивости в диоде Бурсиана”, ЖТФ, 94:11 (2024), 1809–1819
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KuzKoeZak24}
\by В.~И.~Кузнецов, В.~Ю.~Коекин, М.~А.~Захаров, И.~К.~Морозов
\paper Развитие неустойчивости в диоде Бурсиана
\jour ЖТФ
\yr 2024
\vol 94
\issue 11
\pages 1809--1819
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf6895}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=75082213}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf6895
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v94/i11/p1809
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Журнал технической физики Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:89
    PDF полного текста:38
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026