|
Физическое материаловедение
Гомогенное зародышеобразование при лазерно-плазмохимическом синтезе твердых покрытий SiCN из гексаметилдисилазана
В. Н. Деминa, В. О. Борисовa, А. М. Баклановb, Г. Н. Грачевc, А. Л. Смирновc, С. Н. Багаевc a Институт неорганической химии им. А. В. Николаева СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
b Институт химической кинетики и горения СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
c Институт лазерной физики СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
Аннотация:
С использованием дифференциального спектрометра аэрозолей проведено изучение гомогенного образования зародышей твердой фазы в процессе лазерно-плазмохимического осаждения SiCN из паров гексаметилдисилазана в потоке плазмообразующего газа аргона. Найдено, что характерный размер наночастиц SiCN в газовой фазе находится в диапазоне 20–120 nm и зависит от концентрации паров гексаметилдисилазана и скорости общего потока аргона. Проведенные исследования показали, что образование слоя карбонитрида кремния в лазерном плазмохимическом осаждении идет с образованием зародышей в газовой фазе, и при их соударении с подложкой и активации лазерной плазмой образуется твердое наноструктурированное покрытие.
Ключевые слова:
лазерно-плазмохимическое осаждение, карбонитрид кремния, гомогенное зародышеобразование.
Поступила в редакцию: 20.03.2023 Исправленный вариант: 26.04.2023 Принята в печать: 28.04.2023
Образец цитирования:
В. Н. Демин, В. О. Борисов, А. М. Бакланов, Г. Н. Грачев, А. Л. Смирнов, С. Н. Багаев, “Гомогенное зародышеобразование при лазерно-плазмохимическом синтезе твердых покрытий SiCN из гексаметилдисилазана”, ЖТФ, 93:6 (2023), 804–808
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf7010 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v93/i6/p804
|
| Статистика просмотров: |
| Страница аннотации: | 165 | | PDF полного текста: | 82 |
|