Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Журнал технической физики, 2023, том 93, выпуск 8, страницы 1166–1172
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2023.08.55979.41-23 (Mi jtf7062) 		 
Физика низкоразмерных структур

Особенности эпитаксиального роста методом МПЭ тонких сильно напряженных слоев InGaAs/InAlAs на подложках InP

В. В. Андрюшкинa, И. И. Новиковa, А. Г. Гладышевa, А. В. Бабичевa, Л. Я. Карачинскийa, В. В. Дюделевb, Г. С. Соколовскийb, А. Ю. Егоровc

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики, 197101 Санкт-Петербург, Россия
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
c Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
PDF полного текста (243 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2023.08.55979.41-23
Аннотация: Приведены результаты исследования особенностей эпитаксиального роста методом молекулярно-пучковой эпитаксии сверхрешеток на основе сильно напряженных тонких слоев InGaAs/InAlAs на подложке InP. Показано, что скорости роста объемных слоев InGaAs и InAlAs, согласованных по постоянной решетки с InP, не позволяют точно определить скорости роста тонких сильно напряженных сверхрешеток типа In$_{0.36}$Al$_{0.64}$As/In$_{0.67}$Ga$_{0.33}$As, а ошибка составляет порядка 10%. Эффект связан с различием температуры роста слоев InGaAs и InAlAs, влияющей на интенсивность испарения индия с ростовой поверхности.
Ключевые слова: молекулярно-пучковая эпитаксия, сверхрешетка, квантово-каскадный лазер.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 21-72-30020
Работа выполнена за счет гранта Российского научного фонда (проект № 21-72-30020) в части эпитаксиального роста гетероструктур.
Поступила в редакцию: 09.03.2023
Исправленный вариант: 05.05.2023
Принята в печать: 05.05.2023
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. В. Андрюшкин, И. И. Новиков, А. Г. Гладышев, А. В. Бабичев, Л. Я. Карачинский, В. В. Дюделев, Г. С. Соколовский, А. Ю. Егоров, “Особенности эпитаксиального роста методом МПЭ тонких сильно напряженных слоев InGaAs/InAlAs на подложках InP”, ЖТФ, 93:8 (2023), 1166–1172
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AndNovGla23}
\by В.~В.~Андрюшкин, И.~И.~Новиков, А.~Г.~Гладышев, А.~В.~Бабичев, Л.~Я.~Карачинский, В.~В.~Дюделев, Г.~С.~Соколовский, А.~Ю.~Егоров
\paper Особенности эпитаксиального роста методом МПЭ тонких сильно напряженных слоев InGaAs/InAlAs на подложках InP
\jour ЖТФ
\yr 2023
\vol 93
\issue 8
\pages 1166--1172
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf7062}
\crossref{https://doi.org/10.21883/JTF.2023.08.55979.41-23}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=54955554}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf7062
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v93/i8/p1166
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Журнал технической физики Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:53
    PDF полного текста:20
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025