Резонансная микроволновая спектроскопия полупроводников с микронным разрешением

Предложен и экспериментально апробирован локальный метод микроволновой резонансной спектроскопии полупроводников. Микроволновый тракт спектрометра на базе зондовой станции Cascade Microtech оборудован коаксиальным резонатором специальной геометрии, за счет чего многократно повышена точность измерений в разработанном ранее методе вольт-импедансной спектроскопии. Разработана методика калибровки спектрометра и резонансных измерений комплексного импеданса системы зонд-образец. На нескольких дискретных частотах диапазона 50–250 MHz измерен импеданс тестовых структур с контактами Шоттки диаметром 30–60 $\mu$m на монокристаллической пластине GaAs. Изучены нетривиальные резистивные свойства структур, заключающиеся в избыточном сопротивлении контакта, которое на 1–2 порядка превышает сопротивление растекания переменного тока в невозмущенной области полупроводника. Обнаруженный эффект предположительно связан с перезарядкой глубоких состояний в полупроводнике. Выполнен модельный расчет спектра импеданса, демонстрирующий согласие с экспериментальными спектрами.