Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Журнал технической физики, 2025, том 95, выпуск 3, страницы 540–548
DOI: https://doi.org/10.61011/JTF.2025.03.59860.288-24 (Mi jtf7523) 		 
Специальный выпуск по материалам Международной конференции "Наноуглерод и Алмаз" (НиА'2024)
Твердотельная электроника

CVD-алмазные структуры с $p$–$n$-переходом — диоды и транзисторы

М. А. Лобаев, Д. Б. Радищев, А. Л. Вихарев, А. М. Горбачев, С. А. Богданов, В. А. Исаев, С. А. Краев, А. И. Охапкин, Е. А. Архипова, П. А. Юнин, Н. В. Востоков, Е. В. Демидов, М. Н. Дроздов

Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова Российской академии наук, 603950 Нижний Новгород, Россия
PDF полного текста (507 kB)
DOI: https://doi.org/10.61011/JTF.2025.03.59860.288-24
Аннотация: Исследовано легирование алмаза бором и фосфором в плазмохимическом реакторе с ламинарным потоком газа. Получены слои алмаза, сильнолегированные бором и фосфором. Слои обладали низким удельным сопротивлением при высоком кристаллическом совершенстве. На основе таких слоев созданы структуры для формирования электронных приборов на алмазе. Исследовано несколько видов алмазных приборов: диод Шоттки, $pn$-диод Шоттки, $p$–$i$–$n$-диод и полевой транзистор. Получены высокие значения пробойных полей и плотностей тока в исследованных приборах.
Ключевые слова: CVD-алмаз, алмазные структуры, диод Шоттки, $p$–$i$–$n$-диод, полевой транзистор.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 22-12-00309
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации FFUF-2024-0032
Исследования легирования алмаза бором и фосфором, создание алмазных структур для диода Шоттки, $pn$-диода Шоттки, $p$–$i$–$n$-диода, полевого транзистора, а также исследования их электрических характеристик выполнены за счет гранта Российского научного фонда № 22-12-00309, https://rscf.ru/en/project/22-12-00309/, подготовка алмазных подложек и изучение дефектности алмазной поверхности были выполнены в рамках государственного задания ИПФ РАН, проект № FFUF-2024-0032.
Поступила в редакцию: 09.10.2024
Исправленный вариант: 09.10.2024
Принята в печать: 09.10.2024
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. А. Лобаев, Д. Б. Радищев, А. Л. Вихарев, А. М. Горбачев, С. А. Богданов, В. А. Исаев, С. А. Краев, А. И. Охапкин, Е. А. Архипова, П. А. Юнин, Н. В. Востоков, Е. В. Демидов, М. Н. Дроздов, “CVD-алмазные структуры с $p$–$n$-переходом — диоды и транзисторы”, ЖТФ, 95:3 (2025), 540–548
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{LobRadVik25}
\by М.~А.~Лобаев, Д.~Б.~Радищев, А.~Л.~Вихарев, А.~М.~Горбачев, С.~А.~Богданов, В.~А.~Исаев, С.~А.~Краев, А.~И.~Охапкин, Е.~А.~Архипова, П.~А.~Юнин, Н.~В.~Востоков, Е.~В.~Демидов, М.~Н.~Дроздов
\paper CVD-алмазные структуры с $p$--$n$-переходом --- диоды и транзисторы
\jour ЖТФ
\yr 2025
\vol 95
\issue 3
\pages 540--548
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf7523}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=80585492}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf7523
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v95/i3/p540
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Журнал технической физики Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:124
    PDF полного текста:82
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026