Оптические свойства пористого кремния, обработанного в тетраэтилортосиликате

Исследовано изменение состава и оптических свойств пористого кремния (por-Si), полученного электрохимическим травлением пластины монокристаллического кремния $n$-типа (111), под воздействием высокотемпературного отжига и обработки в тетраэтилортосиликате (ТЭОС). Показано, что и обработка в ТЭОС, и отжиг препятствуют загрязнению образцов при длительном хранении на атмосфере. При этом обработка пористого кремния в ТЭОС оставляет неизменным положение пика фотолюминесценции (ФЛ) и меньше гасит ФЛ по сравнению с результатами отжига por-Si. Это обстоятельство повышает надежность оптоэлектронных устройств на пористом кремнии.