Особенности структурных и оптических свойств пористого кремния, полученного в $p^+$-эпитаксиальном слое на $n$-Si(111)

Методами растровой электронной микроскопии и многокристальной рентгеновской дифракции исследованы особенности структурных и оптических свойств пористого кремния, полученного анодным травлением пластины $n$-Si(111) с $p^+$-гомоэпитаксиальным слоем на одной из сторон. Найдено существенное отличие микроструктуры с обеих сторон образца. При старении в течение 4.5 месяцев наблюдался дрейф дифракционого пика por-Si от пика подложки на $\delta\theta$ = -42" и -450" для $n$-Si и $p^+$-Si пористых слоев соответственно. Полоса фотолюминесценции, полученная от $p^+$-слоя образца, в 2 раза у́же полосы ФЛ от $n$-слоя при практически одинаковой интенсивности и сдвинута в сторону меньших длин волн (больших энергий) на 0.4 eV.