|
Математическое моделирование, 2014, том 26, номер 8, страницы 126–148
(Mi mm3511)
|
|
|
|
Численное решение задачи о переносе заряда в транзисторе DG-MOSFET
А. М. Блохинab, Б. В. Семисаловc a Институт математики им. С. Л. Соболева СО РАН, Новосибирск
b Новосибирский государственный университет, Новосибирск
c Конструкторско-технологический институт вычислительной техники СО РАН, Новосибирск
Аннотация:
Предлагается и подробно описывается эффективный численный алгоритм для поиска стационарных решений задачи о переносе заряда в транзисторе DG-MOSFET. Для математического описания процесса переноса заряда используется гидродинамическая MEP модель. Вследствие нелинейности уравнений данной модели, наличия в ней малых параметров и специфических условий на границах области транзистора DG-MOSFET при поиске численных решений возникают существенные сложности. Целью настоящей работы являются построение и реализация эффективного вычислительного алгоритма, основанного на методе установления, применении сглаживающих регуляризующих операторов и идей схем без насыщения, предназначенного для преодоления указанных сложностей.
Ключевые слова:
гидродинамическая модель, транзистор DG-MOSFET, стационарное решение, метод установления, нестационарная регуляризация, алгоритмы без насыщения, интерполяционный полином, сплайн-функция, матричная прогонка.
Поступила в редакцию: 12.03.2013
Образец цитирования:
А. М. Блохин, Б. В. Семисалов, “Численное решение задачи о переносе заряда в транзисторе DG-MOSFET”, Матем. моделирование, 26:8 (2014), 126–148
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/mm3511 https://www.mathnet.ru/rus/mm/v26/i8/p126
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 372 | PDF полного текста: | 144 | Список литературы: | 89 | Первая страница: | 29 |
|