Features of tunneling current-voltage characteristics in dielectric films with Ni, Fe and Co nanoparticles, investigated by conductive AFM and within the framework of the theory of 1D-dissipative tunneling

В настоящей работе экспериментально исследованы особенности туннельных вольт-амперных характеристик (ВАХ) при 1D-диссипативном туннелировании в пределе слабой диссипации для различных как синтезированных (так и в процессе синтеза) металлических наночастиц (НЧ) Ni, Co и Fe в системе совмещенного атомного силового и сканирующего туннельного микроскопа (АСМ/СТМ) во внешнем электрическом поле. Показано, что для отдельных туннельных ВАХ наблюдается единичный пик при одной из полярностей. В процессе синтеза металлических наночастиц с изменением полярности вместо нанокластеров можно синтезировать тороидальные структуры (показано на примере “растущих” Ni-НЧ). Исследование эффектов 1D-диссипативного туннелирования позволило разработать авторский метод управляемого роста наночастиц в системе совмещенного атомного силового и сканирующего туннельного микроскопа (АСМ/СТМ). Получено качественное совпадение экспериментальных и теоретических результатов, что позволяет предположить возможность экспериментального наблюдения макроскопических диссипативных туннельных эффектов и тем самым подтвердить гипотезу, высказанную в “пионерских” работах Нобелевского лауреата Э.Дж. Леггета, академика РАН А.И. Ларкина, профессора Ю.Н. Овчинникова (ИТФ РАН им. Л.Д. Ландау) и других авторов.