Наносистемы: физика, химия, математика
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Наносистемы: физика, химия, математика:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Наносистемы: физика, химия, математика, 2023, том 14, выпуск 6, страницы 699–704
DOI: https://doi.org/10.17586/2220-8054-2023-14-6-699-704
(Mi nano1237)
 

CHEMISTRY AND MATERIAL SCIENCE

Surface topology, electrophysical properties and formation mechanism of tin(ii) sulfide thin films

N. S. Kozhevnikovaa, L. N. Maskaevab, A. N. Enyashina, A. P. Tyutyunnika, O. A. Lipinaa, I. O. Selyanina, V. F. Markovb

a Institute of Solid State Chemistry of the Ural Branch of RAS, Ekaterinburg, Russia
b Ural Federal University, Ekaterinburg, Russia
Аннотация: Photosensitive nanocrystalline SnS films with a size of coherent X-ray scattering regions of about 30 nm were obtained by chemical bath deposition. It has been demonstrated that the deposition time affects significantly both microstructure and thickness of the film as well as the size of the particles' agglomerates forming the film. The current sensitivity of the obtained films was studied. All synthesized films, regardless of the duration of synthesis, reveal $p$-type conductivity due to Sn vacancies. Atomic force microscopy measurements and fractal approach provide a detailed description of the processes occurring during film formation. The characteristics of the fabricated SnS films are potentially useful for design of advanced absorbing layers within thin film solar cells.
Ключевые слова: tin(II) sulfide, thin films, chemical bath deposition, $p$-type conductivity, quantum-chemical calculations, formation mechanism.
Финансовая поддержка Номер гранта
Программа стратегического академического лидерства Приоритет-2030
This work was carried out in accordance with the scientific and research plans and state assignment of the ISSC UB RAS and Ural Federal University Program of Development within the Priority-2030 Program (Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation).
Поступила в редакцию: 17.10.2023
Исправленный вариант: 25.10.2023
Принята в печать: 08.11.2023
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: N. S. Kozhevnikova, L. N. Maskaeva, A. N. Enyashin, A. P. Tyutyunnik, O. A. Lipina, I. O. Selyanin, V. F. Markov, “Surface topology, electrophysical properties and formation mechanism of tin(ii) sulfide thin films”, Наносистемы: физика, химия, математика, 14:6 (2023), 699–704
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KozMasEny23}
\by N.~S.~Kozhevnikova, L.~N.~Maskaeva, A.~N.~Enyashin, A.~P.~Tyutyunnik, O.~A.~Lipina, I.~O.~Selyanin, V.~F.~Markov
\paper Surface topology, electrophysical properties and formation mechanism of tin(ii) sulfide thin films
\jour Наносистемы: физика, химия, математика
\yr 2023
\vol 14
\issue 6
\pages 699--704
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/nano1237}
\crossref{https://doi.org/10.17586/2220-8054-2023-14-6-699-704}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=57597733}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/nano1237
  • https://www.mathnet.ru/rus/nano/v14/i6/p699
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Наносистемы: физика, химия, математика
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:60
    PDF полного текста:13
    Список литературы:2
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025