Наносистемы: физика, химия, математика
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Наносистемы: физика, химия, математика:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Наносистемы: физика, химия, математика, 2014, том 5, выпуск 4, страницы 517–539 (Mi nano882)  

Electronic properties of MoS$_{2}$ monolayer and related structures

A. N. Enyashina, G. Seifertb

a Institute of Solid State Chemistry UB RAS, Ekaterinburg, Russia
b Physical Chemistry, Dresden University of Technology, Dresden, Germany
Аннотация: The present review provides an overview of the transition metal dichalcogenides discovered newly at the level of two dimensions. A special emphasis is given to the electronic structure of semiconducting representatives of this family, which can depend on many factors like thickness, environment, mechanical strain and structural imperfections of the layers. Both calculations and experimental data available to date on example of MoS$_{2}$ compound evidence that, semiconducting dichalcogenide layers could become successful counterparts of graphene and nanosilicon as the materials of flexible nanoelectronics. However, current technologies for the fabrication of single mono- and multilayers of transition metal dichalcogenides still do not offer a large-scale and cost-effective product with the tuned quality to reveal all abilities predicted for these nanostructures.
Ключевые слова: inorganic graphene, molybdenum sulfide, layered chalcogenides, monolayer.
Поступила в редакцию: 16.06.2014
Исправленный вариант: 30.06.2014
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 61.46.-w, 61.50.Ah, 61.72.-y, 61.82.Fk
Язык публикации: английский
Образец цитирования: A. N. Enyashin, G. Seifert, “Electronic properties of MoS$_{2}$ monolayer and related structures”, Наносистемы: физика, химия, математика, 5:4 (2014), 517–539
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{EnySei14}
\by A.~N.~Enyashin, G.~Seifert
\paper Electronic properties of MoS$_{2}$ monolayer and related structures
\jour Наносистемы: физика, химия, математика
\yr 2014
\vol 5
\issue 4
\pages 517--539
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/nano882}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=21848632}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/nano882
  • https://www.mathnet.ru/rus/nano/v5/i4/p517
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Наносистемы: физика, химия, математика
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:77
    PDF полного текста:41
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025