Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского политехнического университета. Информатика. Телекоммуникации. Управление
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Информатика, телекоммуникации и управление:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского политехнического университета. Информатика. Телекоммуникации. Управление, 2015, выпуск 4(224), страницы 51–58
DOI: https://doi.org/10.5862/JCSTCS.224.5 (Mi ntitu115) 		 
Аппаратное обеспечение вычислительных, телекоммуникационных и управляющих систем

Применение технологии атомно-слоевого осаждения оксида гафния в производстве элементов электронной компонентной базы

А. Ю. Алябьев

Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
PDF полного текста (686 kB)
DOI: https://doi.org/10.5862/JCSTCS.224.5
Аннотация: Рассмотрены технологические преимущества процесса атомно-слоевого осаждения, возможное применение при решении проблем дальнейшей миниатюризации и повышения быстродействия полупроводниковых устройств. Описаны результаты проведенного осаждения перспективного материала наноэлектроники – диоксида гафния различной толщины на кремниевые подложки диаметром 200 и 300 мм. Приведены результаты по формированию многослойных структур с оптимизированными диэлектрическими свойствами – так называемый high-k диэлектрик для создания полупроводниковых интегральных схем. Для созданных образцов представлены результаты измерений диэлектрических характеристик и микроструктурного анализа.
Ключевые слова: атомно-слоевое осаждение, тонкие пленки, подзатворный диэлектрик, оксид гафния.
Тип публикации: Статья
УДК: 621.382.323
Образец цитирования: А. Ю. Алябьев, “Применение технологии атомно-слоевого осаждения оксида гафния в производстве элементов электронной компонентной базы”, Научно-технические ведомости СПбГПУ. Информатика. Телекоммуникации. Управление, 2015, № 4(224), 51–58
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Ali15}
\by А.~Ю.~Алябьев
\paper Применение технологии атомно-слоевого осаждения оксида гафния в производстве элементов электронной компонентной базы
\jour Научно-технические ведомости СПбГПУ. Информатика. Телекоммуникации. Управление
\yr 2015
\issue 4(224)
\pages 51--58
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ntitu115}
\crossref{https://doi.org/10.5862/JCSTCS.224.5}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ntitu115
  • https://www.mathnet.ru/rus/ntitu/y2015/i4/p51
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Информатика, телекоммуникации и управление
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:176
    PDF полного текста:69
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025