Влияние степени атомного упорядочения на сегнетоэлектрические свойства твердых растворов GaInP$_2$

Исследованы слои GaInP$_2$, выращенные методом эпитаксии из металл-органических соединений на подложках GaAs (100) при температуре 720$^\circ$С, соотношении потоков V/III групп 15–150 и разориентации подложки 0 и 6$^\circ$. Измерены структурные (рентгеновская дифракция, просвечивающая электронная микроскопия и рамановская спектроскопия) и оптические (фотолюминесценция) свойства вместе с измерениями поверхностного потенциала (кельвин-зондовая микроскопия) слоев толщиной 500 nm. Показано наличие атомного упорядочения со структурой CuPt$_\mathrm{B}$, соответствующей монослойной сверхрешетке GaP$_1$/InP$_1$ вдоль направления [111]$_\mathrm{B}$, и вариации степени упорядочения $\eta$ = 0.05–0.56 в зависимости от условий роста. Измерения поверхностного потенциала выявили уменьшение встроенного электрического поля, подавление релаксации кристаллической решетки, обусловленной разной симметрией подложки и слоя (мартенситного перехода), и фиксацией (пинингом) уровня Ферми с уменьшением $\eta$, что демонстрирует возможности контроля сегнетоэлектрических свойств атомно-упорядоченных слоев GaInP$_2$.