Ширина линии излучения одномодовых вертикально излучающих лазеров спектрального диапазона 1.55 $\mu$m, реализованных с помощью молекулярно-пучковой эпитаксии и технологии спекания пластин

Проведено исследование статических и спектральных характеристик вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1.55 $\mu$m с активной областью на основе напряженных квантовых ям InGaAs/InGaAlAs. Приборы продемонстрировали эффективную лазерную генерацию через фундаментальную моду с коэффициентом подавления боковой моды более 25 dB. Выходное излучение лазеров линейно-поляризовано вдоль длинной оси мезы заращенного туннельного перехода, при этом коэффициент подавления ортогонально-поляризованной моды превышает 20 dB. Исследования ширины линии излучения лазеров показали, что по мере увеличения выходной оптической мощности до $\sim$1 mW (рабочий ток более 5 mA) спектральная линии излучения заужается до $\sim$30–35 MHz, а соответствующий фактор уширения спектральной линии лазера лежит в диапазоне 3.3–4.4 в зависимости от величины фактора инверсной заселенности. При выходной оптической мощности более 2.5 mW наблюдается уширение спектральной линии, обусловленное резким увеличением внутренней температуры лазера.