Проблемы физики, математики и техники
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



ПФМТ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Проблемы физики, математики и техники, 2023, выпуск 4(57), страницы 48–52
DOI: https://doi.org/10.54341/20778708_2023_4_57_48
(Mi pfmt934)
 

ФИЗИКА

Низкотемпературные процессы формирования нанокомпозитных пленок для оптоэлектроники

С. А. Хахомовa, А. В. Семченкоa, В. Е. Гайшунa, Д. Л. Коваленкоa, В. В. Васькевичa, К. Д. Данильченкоa, А. А. Маевскийa, В. В. Малютина-Бронскаяb, Ш. У. Юлдашевc, В. И. Верланd

a Гомельский государственный университет имени Франциска Скорины
b Оптика, оптоэлектроника и лазерная техника, Минск
c Центр Нанотехнологических разработок, Национальный университет Узбекистана, Ташкент
d Институт прикладной физики, Государственный университет Молдовы, Кишинев
Список литературы:
Аннотация: Разработана методика синтеза золь-гель пленок ITO с внедренными нанокристаллами ZnGa$_2$O$_4$:Cr$^{3+}$, Yb$^{3+}$ (YAGG:Cr$^{3+}$, Yb$^{3+}$), проявляющими длительное послесвечение на поверхности фотоэлектрического солнечного элемента. Интенсивность люминесценции для золь-гель пленки с нанокристаллами ZnGa$_2$O$_4$:Cr$^{3+}$, Yb$^{3+}$ имеет интенсивность на порядок ниже, чем для пленок ITO с нанокристаллами YAGG:Cr$^{3+}$, Yb$^{3+}$. Применение метода Печини обеспечивает интенсивность люминесценции пленок ITO с нанокристаллами YAGG:Cr$^{3+}$, Yb$^{3+}$ в 4 раза выше, чем метод химического осаждения. Нанокристаллы вводились в матрицу на основе ITO. In$_2$O$_3$:SnO$_2$ (ITO) – полупроводник с шириной запрещенной зоны 3,0–4,3 эВ, обеспечивающий высокое пропускание в видимой области света. Тонкие пленки ITO используются в оптоэлектронике и микроэлектронике в качестве прозрачного проводящего контакта для ряда оптоэлектронных продуктов, включая солнечные элементы, светодиоды, лазерные диоды и плоские дисплеи.
Ключевые слова: синтез пленок, золь-гель метод, тонкие пленки, солнечные элементы, функциональные структуры.
Финансовая поддержка Номер гранта
Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований T22УЗБ-074
Т22МЛД-003
Национальное агентство по исследованиям и разработкам Молдовы 20.80009.5007.14
22 80013.5007.6BI
Работа выполнена при поддержке Белорусского республиканского фонда фундаментальных исследований, проекты T22УЗБ-074 и Т22МЛД-003 и НАЦР Республики Молдова, проекты 20.80009.5007.14, 22 80013.5007.6BI.
Поступила в редакцию: 04.09.2023
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 539.23
Образец цитирования: С. А. Хахомов, А. В. Семченко, В. Е. Гайшун, Д. Л. Коваленко, В. В. Васькевич, К. Д. Данильченко, А. А. Маевский, В. В. Малютина-Бронская, Ш. У. Юлдашев, В. И. Верлан, “Низкотемпературные процессы формирования нанокомпозитных пленок для оптоэлектроники”, ПФМТ, 2023, № 4(57), 48–52
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KhaSemGai23}
\by С.~А.~Хахомов, А.~В.~Семченко, В.~Е.~Гайшун, Д.~Л.~Коваленко, В.~В.~Васькевич, К.~Д.~Данильченко, А.~А.~Маевский, В.~В.~Малютина-Бронская, Ш.~У.~Юлдашев, В.~И.~Верлан
\paper Низкотемпературные процессы формирования нанокомпозитных пленок для оптоэлектроники
\jour ПФМТ
\yr 2023
\issue 4(57)
\pages 48--52
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pfmt934}
\crossref{https://doi.org/10.54341/20778708_2023_4_57_48}
\edn{https://elibrary.ru/IRLYAF}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pfmt934
  • https://www.mathnet.ru/rus/pfmt/y2023/i4/p48
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Проблемы физики, математики и техники
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:49
    PDF полного текста:14
    Список литературы:14
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024