|
|
Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 3, страницы 435–439
(Mi phts103)
|
|
|
|
Высокоэффективные информационно-энергетические
AlGaAs-GaAs-фотоприемники для волоконно-оптических линий связи
В. М. Андреев, Б. В. Егоров, А. М. Койнова, В. М. Лантратов, В. Д. Румянцев, Н. М. Сараджишвили Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, г. Ленинград
Аннотация:
\looseness-1
Рассмотрены теоретические оценки предельного КПД и быстродействия
в фотовольтаическом режиме, а также экспериментальные данные
для фотоприемников (ФП) на основе AlGaAs-гетероструктур, преобразующих
излучение с ${\lambda=0.85}$ мкм. ФП со структурой
$n^{+}$-GaAs${-}n^{0}$-GaAs${-}n^{0}$-Al$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As${-}\break
p^{+}$-GaAs : Si${-}p^{0}$-Al$_{0.8}$Ga$_{0.2}$As
при возбуждении импульсами AlGaAs-гетеролазера мощностью 1 мВт имели
времена нарастания и спада электрических импульсов — 2 нс в режиме
короткого замыкания и 60 нс в точке оптимальной нагрузки.
В квазистационарном режиме получен КПД ${\simeq60}$%. Данные ФП могут
быть использованы в ВОЛС с передачей по волоконному световоду
не только информационных сигналов, но и энергии для питания
исполнительных устройств.
Поступила в редакцию: 17.07.1985 Принята в печать: 26.07.1985
Образец цитирования:
В. М. Андреев, Б. В. Егоров, А. М. Койнова, В. М. Лантратов, В. Д. Румянцев, Н. М. Сараджишвили, “Высокоэффективные информационно-энергетические
AlGaAs-GaAs-фотоприемники для волоконно-оптических линий связи”, Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986), 435–439
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts103 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v20/i3/p435
|
| Статистика просмотров: |
| Страница аннотации: | 142 | | PDF полного текста: | 94 |
|