Влияние анизотропии валентной зоны германия на спонтанное циклотронное излучение легких дырок

В результате измерения положения на оси $H$ и интенсивности максимума спонтанного излучения легких дырок германия при фиксированной частоте, определяемой пиком фоточувствительности $n$-GaAs-фотоприемника, показано, что анизотропия подзоны тяжелых дырок существенно влияет на их разогрев в сильных скрещенных $E$ и $H$ полях. В полях до ${E=3}$ кВ/см при ${H=20}$ кЭ оценен размер источника в подзоне легких дырок для различных кристаллографических направлений E и H. Отмечено заметное влияние анизотропии подзоны легких дырок на положение циклотронного максимума.