|
Физика и техника полупроводников, 1985, том 19, выпуск 1, страницы 164–167
(Mi phts1050)
|
|
|
|
Краткие сообщения
Двумерный электронный газ в модулированно-легированных структурах
GaAs/GaAlAs, полученных методом
молекулярно-лучевой эпитаксии
М. Г. Блюмина, А. Т. Денисов, А. М. Крещук, Т. А. Полянская, И. Г. Савельев, И. И. Сайдашев, А. П. Сеничкин, Ю. В. Шмарцев
Образец цитирования:
М. Г. Блюмина, А. Т. Денисов, А. М. Крещук, Т. А. Полянская, И. Г. Савельев, И. И. Сайдашев, А. П. Сеничкин, Ю. В. Шмарцев, “Двумерный электронный газ в модулированно-легированных структурах
GaAs/GaAlAs, полученных методом
молекулярно-лучевой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985), 164–167
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts1050 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v19/i1/p164
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 60 | PDF полного текста: | 35 |
|