Широкозонные полупроводники A$^{\text{II}}$B$^{\text{III}}_{2}$C$^{\text{VI}}_{4}$: оптические и фотоэлектрические свойства и перспективы применения (Обзор)

Систематизированы результаты работ по изучению в соединениях A$^{\text{II}}$B$^{\text{III}}_{2}$C$^{\text{VI}}_{4}$ межзонных переходои переходов, обусловленных глубокими центрами. Описаны первые данные по обнаружению и исследованию экситонных линий в оптических спектрах тиогаллата и селеногаллата кадмия. Выяснено, что одной из основных причин отсутствия экситонов в других соединениях A$^{\text{II}}$B$^{\text{III}}_{2}$C$^{\text{VI}}_{4}$ является наличие в образцах большого количества антистрктурных дефектов на основе взаимозамещения катионов (А$_{\text{B}}$ и В$_{\text{A}}$).
В результате рассмотрения влияния отклонения от стехиометрического состава на свойства образцов установлена собственно-дефектная природа глубоких центров в соединениях A$^{\text{II}}$B$^{\text{III}}_{2}$C$^{\text{VI}}_{4}$. Обсуждена возможность целенаправленного управления свойствами соединений применением технологии ионного внедрения и отжига. Раскрываются причины, затрудняющие управление величиной и типом проводимости материалов. Анализируется вопрос о практическом применении кристаллов A$^{\text{II}}$B$^{\text{III}}_{2}$C$^{\text{VI}}_{4}$.