Особенности донорно-акцепторной рекомбинации в слабо легированных компенсированных полупроводниках

Развита теория стационарной донорно-акцепторной ($DA$) рекомбинации в слабо легированных компенсированных полупроводниках. Учтены пространственные корреляции в распределении неравновесных носителей по примесям, возникающие в результате рекомбинации. Исследовано влияние термического перераспределения носителей по примесям через разрешенные зоны на $DA$-рекомбинацию. Предложена эквивалентная генерационно-рекомбинационная схема полупроводника с $DA$-парами.