Гетерофотоэлементы с низким значением обратного тока насыщения

Приводятся результаты исследования гетерофотоэлементов на основе структуры $n$-GaAs${-}n$-Al$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As–$p$-GaAs–$p$-Al$_{0.8$Ga$_{0.2}$As}, в которой благодаря выполнению тонкого (0.2 мкм) широкозонного слоя $n$-Al$_{0.4$Ga$_{0.6}$As} в области объемного заряда $p{-}n$-перехода существенно снижена плотность рекомбинационной составляющей тока насыщения (до ${2.5\cdot10^{-14}\,\text{А/см}^{2}}$) при значении параметра качества рекомбинационной ветви вольтамперной характеристики ${A=1.5}$. За счет реализации в исследованных структурах инжекционного механизма протекания тока до плотностей тока $10^{-3}\,\text{А/см}^{2}$ при освещении неконцентрированным солнечным излучением (${P_{c}=70}$ мВт/см$^{2}$, АМ2) обратный ток насыщения составил ${(2\div4)\cdot10^{-20}\,\text{А/см}^{2}}$, что позволило получить предельные значения напряжения холостого хода ${U_{\text{хх}}=1.026}$ В и фактора заполнения нагрузочной характеристики ${FF=0.87}$.