Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1985, том 19, выпуск 4, страницы 632–635 (Mi phts1155)  

ЭПР и парамагнитная релаксация межузельного центра Fe ($3d^{8}$) в GaP

В. Ф. Мастеров, Л. П. Пасечник, К. Ф. Штельмах
Аннотация: Приводятся результаты исследования ЭПР при давлении кристаллов GaP, легированных железом. Показано, что центр с параметрами ${g=2.131}$ и ${\Delta H=28}$ Э имеет спин ${S=1}$. Таким образом, он является центром внедрения с конфигурацией $3d^{8}$. Изучена спин-решеточная релаксация указанного центра. В области низких температур наблюдается эффект узкого фононного горла, т. е. зависимость ${r^{-1}_{1}\sim T^{2}}$. При температурах выше 10 K преобладающим является двухфононный рамановский процесс, при котором ${\tau^{-1}_{1}\sim T^{5}}$.
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Ф. Мастеров, Л. П. Пасечник, К. Ф. Штельмах, “ЭПР и парамагнитная релаксация межузельного центра Fe ($3d^{8}$) в GaP”, Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985), 632–635
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MasSht85}
\by В.~Ф.~Мастеров, Л.~П.~Пасечник, К.~Ф.~Штельмах
\paper ЭПР и~парамагнитная релаксация межузельного центра
Fe~($3d^{8}$) в~GaP
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1985
\vol 19
\issue 4
\pages 632--635
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts1155}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts1155
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v19/i4/p632
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:130
    PDF полного текста:79
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026