|
|
Физика и техника полупроводников, 1985, том 19, выпуск 4, страницы 632–635
(Mi phts1155)
|
|
|
|
ЭПР и парамагнитная релаксация межузельного центра
Fe ($3d^{8}$) в GaP
В. Ф. Мастеров, Л. П. Пасечник, К. Ф. Штельмах
Аннотация:
Приводятся результаты исследования ЭПР при давлении
кристаллов GaP, легированных железом. Показано, что центр с параметрами
${g=2.131}$ и ${\Delta H=28}$ Э имеет спин ${S=1}$. Таким образом, он
является центром внедрения с конфигурацией $3d^{8}$. Изучена спин-решеточная
релаксация указанного центра. В области низких температур наблюдается
эффект узкого фононного горла, т. е. зависимость
${r^{-1}_{1}\sim T^{2}}$. При температурах выше 10 K преобладающим
является двухфононный рамановский процесс, при котором ${\tau^{-1}_{1}\sim
T^{5}}$.
Образец цитирования:
В. Ф. Мастеров, Л. П. Пасечник, К. Ф. Штельмах, “ЭПР и парамагнитная релаксация межузельного центра
Fe ($3d^{8}$) в GaP”, Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985), 632–635
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts1155 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v19/i4/p632
|
| Статистика просмотров: |
| Страница аннотации: | 130 | | PDF полного текста: | 79 |
|