|
|
Физика и техника полупроводников, 1985, том 19, выпуск 4, страницы 636–641
(Mi phts1156)
|
|
|
|
Особенности поперечного эффекта Нернста–Эттингснаузена в условиях
сильного резонансного рассеяния в РbТе$\langle$Tl$\rangle$
С. А. Немов, Ю. И. Равич, А. М. Зайцев
Аннотация:
В РbТе$\langle$Tl$\rangle$, дополнительно легированном
акцепторной (Na) или донорной (избыток Рb) примесью, исследован поперечный
эффект Нернста–Эттингсгаузена (ПЭНЭ) в диапазоне температур 100$-$420 K.
Обнаружен ряд особенностей в поведении ПЭНЭ в РbТе$\langle$Tl$\rangle$ по
сравнению с PbTe$\langle$Na$\rangle$: малая величина нернстовской
подвижности
(${|Q/k_{\text{Б}}/e|\sim1{-}30\,\text{см}^{2}/\text{В}\cdot\text{с}}$ при
${T=120}$ K), немонотонная зависимость коэффициента ПЭНЭ $Q$ от температуры
и состава образцов. Немонотонной является также зависимость безразмерного
параметра $Q/R\sigma k_{\text{Б}}/e$, характеризующего механизм рассеяния
носителей заряда, от количества дополнительной примеси. Основные особенности
ПЭНЭ в РbТе$\langle$Tl$\rangle$ качественно удается объяснить резонансным
рассеянием дырок на примесях Tl. Показано, что наблюдаемые в
РbТе$\langle$Tl$\rangle$ зависимости ПЭНЭ от состава образцов и температуры
могут быть усложнены наличием неоднородностей распределения примесей,
приводящих при однородной концентрации носителей к флуктуациям коэффициента
заполнения дырками примесных состояний Tl и, как следствие,
параметра рассеяния дырок.
Образец цитирования:
С. А. Немов, Ю. И. Равич, А. М. Зайцев, “Особенности поперечного эффекта Нернста–Эттингснаузена в условиях
сильного резонансного рассеяния в РbТе$\langle$Tl$\rangle$”, Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985), 636–641
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts1156 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v19/i4/p636
|
| Статистика просмотров: |
| Страница аннотации: | 128 | | PDF полного текста: | 83 |
|