Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1985, том 19, выпуск 4, страницы 636–641 (Mi phts1156)  

Особенности поперечного эффекта Нернста–Эттингснаузена в условиях сильного резонансного рассеяния в РbТе$\langle$Tl$\rangle$

С. А. Немов, Ю. И. Равич, А. М. Зайцев
Аннотация: В РbТе$\langle$Tl$\rangle$, дополнительно легированном акцепторной (Na) или донорной (избыток Рb) примесью, исследован поперечный эффект Нернста–Эттингсгаузена (ПЭНЭ) в диапазоне температур 100$-$420 K. Обнаружен ряд особенностей в поведении ПЭНЭ в РbТе$\langle$Tl$\rangle$ по сравнению с PbTe$\langle$Na$\rangle$: малая величина нернстовской подвижности (${|Q/k_{\text{Б}}/e|\sim1{-}30\,\text{см}^{2}/\text{В}\cdot\text{с}}$ при ${T=120}$ K), немонотонная зависимость коэффициента ПЭНЭ $Q$ от температуры и состава образцов. Немонотонной является также зависимость безразмерного параметра $Q/R\sigma k_{\text{Б}}/e$, характеризующего механизм рассеяния носителей заряда, от количества дополнительной примеси. Основные особенности ПЭНЭ в РbТе$\langle$Tl$\rangle$ качественно удается объяснить резонансным рассеянием дырок на примесях Tl. Показано, что наблюдаемые в РbТе$\langle$Tl$\rangle$ зависимости ПЭНЭ от состава образцов и температуры могут быть усложнены наличием неоднородностей распределения примесей, приводящих при однородной концентрации носителей к флуктуациям коэффициента заполнения дырками примесных состояний Tl и, как следствие, параметра рассеяния дырок.
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. А. Немов, Ю. И. Равич, А. М. Зайцев, “Особенности поперечного эффекта Нернста–Эттингснаузена в условиях сильного резонансного рассеяния в РbТе$\langle$Tl$\rangle$”, Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985), 636–641
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{NemZai85}
\by С.~А.~Немов, Ю.~И.~Равич, А.~М.~Зайцев
\paper Особенности поперечного эффекта Нернста--Эттингснаузена в~условиях
сильного резонансного рассеяния в~РbТе$\langle$Tl$\rangle$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1985
\vol 19
\issue 4
\pages 636--641
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts1156}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts1156
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v19/i4/p636
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:128
    PDF полного текста:83
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026