О температурной зависимости параметров междолинной релаксации электронов в кремнии

В интервале 55$-$100 K методами, основанными на измерении поперечного фотовольтаического эффекта в многодолинных полупроводниках, определены междолинные релаксационные параметры в слабо легированном кремнии. В указанном диапазоне температур объемное время междолинной релаксации электронов $\tau_{i}$ изменяется в пределах ${5\cdot10^{-9}\div7\cdot10^{-11}}$ с, скорость поверхностной междолинной релаксации $\sigma_{i}$ — в пределах ${3\cdot10^{5}\div2\cdot10^{6}}$ см/с. Результаты, полученные на образцах $n$- и $p$-Si, практически совпадают между собой.