Температурная зависимость (${4.2\div300}$ K) резонансных энергий экситонных переходов в монокристаллах A$^{\text{II}}$B$^{\text{VI}}$

По спектрам отражения, регистрировавшимся по цифровой методике в интервале ${4.2\div300}$ K, определены температурные зависимости резонансных энергий экситонных переходов в монокристаллах CdS, CdSe, ZnSe, ZnTe, ZnS. Положение резонанса в пределах контура экситонного отражения определялось путем сравнения с расчетом для экситонного осциллятора с классической дисперсией при учете безэкситонного поверхностного слоя.
Температурные зависимости резонансных энергий описываются формулой Варшни. Определены входящие в нее эмпирические параметры для каждого из исследованных соединений и таким образом получены данные справочного характера, полезные для исследовательской практики.