Ударная ионизация в политипах карбида кремния

Экспериментально исследованы коэффициенты ударной ионизации и напряжения лавинного пробоя в политипах карбида кремния $4H$, $6H$, $10H$, $15R$, $21R$.
Высказанная нами ранее точка зрения о монополярности ударной ионизации, обусловленной минизонным энергетическим спектром зоны проводимости, подтвердилась новыми данными сравнительного исследования, проведенного на объектах с различными параметрами минизонного спектра.
Приведено описание физической модели разогрева электрона в полупроводнике с минизонной структурой зоны проводимости. В рамках данной модели объясняются нетривиальные зависимости напряжения лавинного пробоя от температуры и напряжения лавинного пробоя от ширины запрещенной зоны вышеназванных политипов.