|
|
Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 1, страницы 66–72
(Mi phts12)
|
|
|
|
К теории физических свойств фоточувствительных поликристаллических
пленок типа PbS
II. Фотопроводимость, сравнение с экспериментом
Л. Н. Неустроев, В. В. Осипов
Аннотация:
Рассчитаны малосигнальная фотопроводимость и постоянная времени ее спада в фоточувствительных поликристаллических пленках типа PbS. Показано, что зависимость этих параметров от температуры носит активационный характер, и определены соответствующие энергии активации. Установлено, что в зависимости от концентрации поверхностных состояний
величина фотопроводимости может определяться как модуляцией подвижности, так и модуляцией концентрации дырок. Выяснены условия, при которых энергии активации холловской концентрации дырок, проводимости, фотопроводимости и постоянной времени ее спада связаны соотношениями, установленными ранее экспериментально. Проведено количественное сопоставление результатов расчета энергий активации с экспериментальными данными.
Поступила в редакцию: 10.06.1985 Принята в печать: 09.07.1985
Образец цитирования:
Л. Н. Неустроев, В. В. Осипов, “К теории физических свойств фоточувствительных поликристаллических
пленок типа PbS
II. Фотопроводимость, сравнение с экспериментом”, Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986), 66–72
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts12 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v20/i1/p66
|
| Статистика просмотров: |
| Страница аннотации: | 113 | | PDF полного текста: | 59 |
|